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        日前，國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)拓荊科技完成IPO申購，即將登陸科創(chuàng)板。

        拓荊科技成立于2010年4月，是遼寧省及沈陽市重點培育的上市后備企業(yè)和中國半導體設(shè)備五強企業(yè)，主要從事高端半導體專用薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)以及技術(shù)服務，產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個產(chǎn)品系列，是目前國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應用的集成電路設(shè)備廠商。

        公司產(chǎn)品已廣泛應用于中芯國際(44.030, 0.14, 0.32%)、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，在不同種類芯片制造產(chǎn)線的多道工藝中得到商業(yè)化應用。同時，公司展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試，在研產(chǎn)品已發(fā)往國際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進制程工藝研發(fā)。

        拓荊科技立足自主創(chuàng)新，先后承擔多項國家重大科技專項課題，在半導體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化核心技術(shù)，并達到國際先進水平。其中，公司先進的薄膜工藝設(shè)備設(shè)計技術(shù)、反應模塊架構(gòu)布局技術(shù)、半導體制造系統(tǒng)高產(chǎn)能平臺技術(shù)等核心技術(shù)，不僅解決了半導體制造中納米級厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數(shù)量少、快速成膜、設(shè)備產(chǎn)能穩(wěn)定高速等關(guān)鍵難題，還在保證實現(xiàn)薄膜工藝性能的同時，提升了客戶產(chǎn)線的產(chǎn)能，減少客戶產(chǎn)線的生產(chǎn)成本。

        拓荊科技經(jīng)過10多年的技術(shù)積累，已形成覆蓋20余種工藝型號的薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品，可以適配國內(nèi)最先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線，滿足下游集成電路制造客戶對于不同材料、不同芯片結(jié)構(gòu)薄膜沉積工序的設(shè)備需求。

        其中，PECVD設(shè)備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術(shù)節(jié)點產(chǎn)線多種通用介質(zhì)材料薄膜沉積工序，并研發(fā)了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質(zhì)材料工藝，一舉打破了薄膜沉積設(shè)備長時間被國際廠商壟斷的局面。拓荊科技已經(jīng)成為可與國際巨頭直接競爭的半導體高端設(shè)備制造廠商。

        拓荊科技在科創(chuàng)板發(fā)行上市主要是為開展配適10nm以下制程的PECVD產(chǎn)品研發(fā)、開發(fā)ThermalALD和大腔室PEALD，以及升級SACVD設(shè)備，研發(fā)12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設(shè)備。在加強產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)的同時，拓荊科技還將逐步培育和完善國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，提高設(shè)備零部件的國產(chǎn)化率。同時，公司還將利用國產(chǎn)設(shè)備廠商的綜合優(yōu)勢，為客戶提供定向技術(shù)開發(fā)與服務，以此助力半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，保障產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)先進性。

《電鰻快報》